"투자 멈춰선 안돼" 이재용 '뉴삼성' 가속....파운드리 승부수로 '2030 비전' 박차…

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이재용 부회장 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"
삼성전자, 평택 EUV 파운드리 생산라인 구축...2021년 하반기 본격 가동
화성 EUV 전용라인 본격 가동 이어 초미세 수요 증가에 적극 대응 나서
"메모리 단기 시황 악화에도 파운드리 통해 '지속가능한 성장' 달성 기대"[서울=뉴시스]삼성전자가 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다. 사진은 삼성전자 평택캠퍼스 모습. (사진=삼성전자 제공) 2020.05.21. [email protected]

[서울=뉴시스] 김종민 고은결 기자 = 삼성전자가 지난해 발표한 '반도체 비전 2030' 일정표에 맞춰 세부 전략 실행에 속도를 낸다.

삼성전자는 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되며, 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

업계에서는 이번 투자로 삼성전자가 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC를 추격하는 데 속도를 낼 것이란 전망이 나온다. 특히, TSMC가 최근 미국 애리조나 주에 오는 2029년까지 120억달러(약 15조원)를 투자해 5나노 공정 파운드리 공장을 짓겠다고 발표한 데 이어 삼성전자의 발표가 이어지며 시장 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 보인다.

정은승 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.

[서울=뉴시스]중국을 방문중인 이재용 삼성전자 부회장이 18일 중국 시안반도체 공장을 방문해 현장점검을 하고 있다. (사진=삼성전자 제공) 2020.05.18. [email protected]

◇이재용 "어려울 때일수록 미래 위한 투자 멈춰선 안돼"

이번 투자와 관련해 재계에서는 이재용 삼성전자 부회장은 최근 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 여파와 반도체발(發) 미중 무역 갈등 속에서도 지속적인 투자를 강조하며 '시스템 반도체 1위' 달성을 위한 의지를 드러냈다는 평가가 나온다.

삼성전자에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 평택 EUV 파운드리 라인 공사 착수를 재가하며 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"고 정은승 파운드리사업부장(사장) 등에게 주문했다.

최근 코로나19와 미중 무역분쟁 재개 등 세계 경제의 불확실성이 커진 상황 속에서도 과거 위기 속에서 기회를 찾은 경험을 바탕으로 확실한 성과를 낼 수 있다는 자신감을 경영진과 실무진들에게 전달한 것이다.

삼성전자는 지난해 4월 이재용 부회장이 선포한 '반도체 비전 2030'에 따라 시스템 반도체 사업을 강화하는 행보를 이어가고 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 4월 연구개발과 생산시설을 확충하는데 총 133조원을 투자해 오는 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 바 있다. 전문인력 직접 채용 규모도 1만5000명 수준이다.

이에 삼성전자는 올 들어 3나노미터 초미세공정 기술을 개발하고, 지난 2월엔 경기 화성사업장에 극자외선(EUV) 전용 V1 라인을 본격적으로 가동하기 시작했다. 이를 통해 지난달은 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 양산 체제도 갖췄다.

파운드리 뿐만 아니라 이미지센서 사업에서도 삼성전자는 기술력 향상에 박차를 가하고 있다. 지난해 5월에는 세계 최초로 6400만 화소를 개발했고, 6개월 후에는 1억800만 화소 이미지센서를 출시했다.

삼성전자는 사람 눈(5억 화소)을 능가하는 6억 화소 이미지센서를 포함한 기술 혁신을 위해 계속 도전할 계획이다. 이미지센서는 스마트폰을 넘어, 자율주행차·IoT(사물인터넷)·드론 등에서도 본격 사용될 것으로 예상된다. 삼성전자는 다양한 응용처에서 증가하는 고객 수요에 대응하기 위한 제품 라인업을 갖춰나간다는 방침이다.

[서울=뉴시스] 삼성전자가 평택에 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 파운드리(Foundry·반도체 제조위탁) 생산 시설 구축에 나섰다. '반도체 비전 2030' 일정표에 맞춰 세부 전략를 실행해가는 모습이다. (그래픽=전진우 기자) [email protected]

아울러 삼성전자는 한국 시스템 반도체 생태계 강화 차원에서 국내 팹리스(반도체 설계전문) 업체 지원도 나섰다. 파운드리 설계 자산(IP)에 대한 접근성을 높였고, SAFE 프로그램을 통해 협력사와 고객사들을 지원하고 있다. 국내 중소, 중견 팹리스 업체들을 위한 상생펀드에도 500억원을 출자했다.

실제로 삼성전자는 지난해 '반도체 2030 비전' 발표 이후 대외 환경 변화 속에서도 계획된 투자를 지속 집행하고 있다. 삼성전자 연구개발(R&D)비는 지난해 20조2076억원으로 사상 처음 20조원을 넘어섰고, 임직원수도 10만5257명으로 사상 최대를 기록했다. 지난해부터 반도체 부문은 전 분야에 걸쳐 경력직을 대대적으로 뽑고 있다.

업계 관계자는 "삼성전자는 그동안 모바일 프로세서(AP,Application Processor)와 모뎀칩, 이미지센서 등의 시스템반도체 분야에서 경쟁력을 쌓았지만 파운드리 사업에서 이렇다 할 성과를 거두지 못한 것으로 평가된다"면서 "최근 EUV 등을 통한 공정 경쟁력 상승 등 7nm에서 경험을 쌓은 후 차세대 5nm 공정에서 삼성전자의 EUV 기술력이 빛을 발할 것으로 예상되며 메모리 반도체 단기 시황 악화에도 새로운 반도체 시장을 창조를 통해 지속가능한 성장을 이뤄 나가겠다는 목표를 달성할 것으로 기대한다"고 말했다.

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